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1前言

半導體膜是指由半導體材料形成的薄膜。隨著制備半導體薄膜的技術不同，在結構上可分為單晶，多晶和無定形薄膜。半導體材料是微電子和光電子器件的主要材料，特別是大規(guī)模集成電路芯片上元件的集成度越來越高，元件的尺寸越來越小，半導體薄膜是構成這類器件的基本材料 。我們選擇一種半導體薄膜材料，探索最適合的消解參數(shù)，有利于后續(xù)對多種無機元素的快速準確測定。

2儀器與試劑

2.1 儀器

新儀MASTER-18微波消解儀，趕酸器，分析天平(十萬分之一)等。

2.2 試劑

硝酸(68%)，氫氟酸（40%）

3實驗方法

精確稱取半導體薄膜材料50mg（精確至0.1mg），緩慢滴加8mL硝酸（劇烈反應，釋放氣體），靜置10min左右，待無明顯反應后，補加2mL氫氟酸，組裝消解罐，按照如下設置參數(shù)進行實驗：

實驗結束后，待冷卻至60℃以下，取出消解罐轉移至通風櫥中緩慢打開，趕酸稀釋后，樣品可完全消解至澄清透明狀態(tài)。

4結果

實驗選取的半導體薄膜材料樣品，取樣為50mg，加入硝酸靜置后，補加氫氟酸，最高實驗溫度210℃，保溫40min左右，樣品可完全消解。

5注意

1）添加氫氟酸進行實驗后，需進行趕酸處理，防止氫氟酸對玻璃器皿造成腐蝕，也可能會對實驗結果造成影響。

2）添加硝酸后樣品反應劇烈，實驗過程中應緩慢加入或者分多次加入硝酸，同時實驗人員需做好防護。